Nanostructured Materials

Periodo di svolgimento
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Info sul corso
Ore del corso
40
Ore dei docenti responsabili
40
CFU 6
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Modalità esame

Seminario e prova orale su argomenti del corso

Note modalità di esame

Dopo avere presentato un seminario su un articolo proposto dai docenti viene svolto l'esame orale su argomenti tenuti durante il corso.Vengono effettuate domande per verificare il grado di comprensione degli argomenti svolti.

Prerequisiti

Fisica della Stato solido, Fisica dei semiconduttori

Programma

  • Tecniche di crescita (bulk, epitassiali: CVD, MOCVD, MBE, CBE)
  • Tecniche di fabbricazione di materiali nanostrutturati: top-down e bottom-up
  • Proprietà morfologiche di nanostrutture (AFM, SEM, STM)
  • Proprietà elettroniche, chimiche e composizionali di nanostrutture (Fotoemissione, XPS, PEEM, XPEEM, SPEM)
  • Proprietà strutturali di nanostrutture (TEM, XRD)
  • Proprietà ottiche di nanostrutture (PL, PLE, Raman)
  • Magneto-trasporto a bassa temperatura
  • Materiali (2DEG, Graphene, bP, NWs, QDs)
  • Esempi (effetto quantum Hall, immagazzinamento di idrogeno)

Obiettivi formativi

imparare delle tecniche di sintesi di materiali nanostrutturati e conoscere delle tecniche di caratterizzazione

Riferimenti bibliografici

  • Jeffrey Y. Tsao: Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy, 1992
  • Ivan V. Markov: Crystal Growth for Beginners: Fundamentals of Nucleation, Crystal Growth, and Epitaxy, 2004
  • Terry L. Alford, Leonard C. Feldman, James W. Mayer: Fundamentals of Nanoscale Film Analysis, Springer, 2007
  • Carlo Lamberti: Characterization of semiconductor heterostructures and nanostructures, Elsevier, 2008
  • Mohamed Henini: Molecular Beam Epitaxy, Elsevier, 2013.
  • Bert Voigtländer: Scanning Probe Microscopy, Springer, 2015.