Nanostructured Materials

Periodo di svolgimento
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Info sul corso
Ore del corso
40
Ore dei docenti responsabili
40
Ore di didattica integrativa
0
CFU 6
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Modalità esame

Prova orale e relazione di seminario

Prerequisiti

Fisica della Stato solido, Fisica dei semiconduttori

Programma

  • Tecniche di crescita (bulk, epitassiali: CVD, MOCVD, MBE, CBE)
  • Tecniche di fabbricazione di materiali nanostrutturati: top-down e bottom-up
  • Proprietà morfologiche di nanostrutture (AFM, SEM, STM)
  • Proprietà elettroniche, chimiche e composizionali di nanostrutture (Fotoemissione, XPS, PEEM, XPEEM, SPEM)
  • Proprietà strutturali di nanostrutture (TEM, XRD)
  • Proprietà ottiche di nanostrutture (PL, PLE, Raman)
  • Magneto-trasporto a bassa temperatura
  • Materiali (2DEG, Graphene, bP, NWs, QDs)
  • Esempi (effetto quantum Hall, immagazzinamento di idrogeno)

Obiettivi formativi

imparare delle tecniche di sintesi di materiali nanostrutturati e conoscere delle tecniche di caratterizzazione

Riferimenti bibliografici

  • Jeffrey Y. Tsao: Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy, 1992
  • Ivan V. Markov: Crystal Growth for Beginners: Fundamentals of Nucleation, Crystal Growth, and Epitaxy, 2004
  • Terry L. Alford, Leonard C. Feldman, James W. Mayer: Fundamentals of Nanoscale Film Analysis, Springer, 2007
  • Carlo Lamberti: Characterization of semiconductor heterostructures and nanostructures, Elsevier, 2008
  • Mohamed Henini: Molecular Beam Epitaxy, Elsevier, 2013.
  • Bert Voigtländer: Scanning Probe Microscopy, Springer, 2015.