Modalità d'esame
<p>Seminario e prova orale su argomenti del corso</p>
Note modalità di esame
<p>Dopo avere presentato un seminario su un articolo proposto dai docenti viene svolto l'esame orale su argomenti tenuti durante il corso.Vengono effettuate domande per verificare il grado di comprensione degli argomenti svolti.</p>
Prerequisiti
Fisica della Stato solido, Fisica dei semiconduttori
Programma insegnamento
- Tecniche di crescita (bulk, epitassiali: CVD, MOCVD, MBE, CBE)
- Tecniche di fabbricazione di materiali nanostrutturati: top-down e bottom-up
- Proprietà morfologiche di nanostrutture (AFM, SEM, STM)
- Proprietà elettroniche, chimiche e composizionali di nanostrutture (Fotoemissione, XPS, PEEM,XPEEM, SPEM)
- Proprietà strutturali di nanostrutture (TEM, XRD)
- Proprietà ottiche di nanostrutture (PL, PLE, Raman)
- Magneto-trasporto a bassa temperatura
- Materiali (2DEG, Graphene, bP, NWs, QDs)
- Esempi (effetto quantum Hall, immagazzinamento di idrogeno)
Riferimenti bibliografici
- Jeffrey Y. Tsao: Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy, 1992
- Ivan V. Markov: Crystal Growth for Beginners: Fundamentals of Nucleation, Crystal Growth, andEpitaxy, 2004
- Terry L. Alford, Leonard C. Feldman, James W. Mayer: Fundamentals of Nanoscale FilmAnalysis, Springer, 2007
- Carlo Lamberti: Characterization of semiconductor heterostructures and nanostructures, Elsevier,2008
- Mohamed Henini: Molecular Beam Epitaxy, Elsevier, 2013.
- Bert Voigtländer: Scanning Probe Microscopy, Springer, 2015.